| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI6969DQ-T1-GE3 |
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | Vishay Siliconix | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI6969DQ-T1-GE3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：12V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds：- 功率 - 最大：- 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 光隔离器 - 逻辑ACPL-W60L-500E 存储器AT27C010-55TI FFC，FPC（扁A9CAA-1505F 压力1865-07G-LDN 芯片电阻 - 表面MCR01MRTF33R0 存储器AT27C4096-90VC Card EdgeESC15DRYI-S734 PMIC - 稳压BA09CC0FP-E2 陶瓷电容器K123M15X7RF5UH5 铝电容器EEE-TG2A101M |
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